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計(jì)劃2020年投產(chǎn) 博世開始研發(fā)碳化硅
胡永彬
原創(chuàng) · 0瀏覽·2019-10-09 13:33
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[汽車之家新聞] 據(jù)了解,德國(guó)企業(yè)博世目前正在研發(fā)碳化硅(SiC)半導(dǎo)體,用以進(jìn)一步提升電動(dòng)車的能源使用效率,預(yù)計(jì)該半導(dǎo)體材料將于2020年開始投產(chǎn)。

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碳化硅被業(yè)界普遍認(rèn)為是下一代功率半導(dǎo)體材料,它具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率的優(yōu)勢(shì)。相比如今的IGBT功率半導(dǎo)體,它的發(fā)熱更低,效率更高,節(jié)省的能耗能夠?yàn)殡妱?dòng)車帶來約6%的續(xù)航里程提升。

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如今,電動(dòng)車企普遍依靠提升電池容量的方式來增加續(xù)航里程,然而受限于電池技術(shù)的發(fā)展速度以及成本,電動(dòng)車企已經(jīng)很難再通過此方法獲得顯著的續(xù)航提升,且要面臨較高的安全風(fēng)險(xiǎn)。在這樣的背景下,如何提升電動(dòng)車的能源使用效率,降低能耗成為業(yè)界提升電動(dòng)車?yán)m(xù)航的另一個(gè)思路。目前,特斯拉在Model 3以及新款Model S、Model X車型的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)電控單元上,率先采用了碳化硅半導(dǎo)體,并帶來了出色的能耗表現(xiàn)。博世或許正是看到了碳化硅半導(dǎo)體長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展前景,所以開始著力研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體,但它也存在制造成本過高的問題,有待制造商解決。(消息來源:slashgear;編譯/汽車之家 胡永彬)

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